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El gasto global en equipos de obleas alcanzará un récord de $135.2 mil millones para 2026

Se espera que el gasto en equipos semiconductores alcance los $135.2 mil millones en 2026, con Lam Research, KLA y ASML posicionados como los principales beneficiarios del cambio hacia la memoria avanzada y la infraestructura de control de procesos.

🕐 1 min de lectura

2 activos impactados (Stocks). Sesgo neto: 2 Alcista, 0 Bajista, 0 Neutral. Señal más fuerte: LRCX ↑ 9/10 (65% confianza).

📊 Activos afectados (2)

LRCX
Bullish 🤖 65%
📆 Medio plazo 🌍 US · Explícito

Lam Research es el beneficiario más directo del actual ciclo de equipos de memoria debido a su extenso uso de sistemas de grabado y deposición en la fabricación de DRAM y NAND. A medida que las estructuras de memoria se vuelven más complejas, como en NAND de alto aspecto, la demanda del equipo especializado de Lam aumenta, capturando directamente el crecimiento proyectado del 29% y 28% en el gasto de DRAM y NAND respectivamente.

Catalizadores
  • Proyección de un aumento del 29% en el gasto en equipos DRAM de 300 mm para 2026
  • Proyección de un aumento del 28% en el gasto en equipos 3D NAND de 300 mm para 2026
Factores de riesgo
  • Potencial para que los fabricantes de memoria sobreinviertan, lo que lleva a un exceso de oferta y posteriores caídas bruscas en el gasto de capital
  • La alta apalancamiento al ciclo de memoria significa que la acción puede sufrir desproporcionadamente si los precios de la memoria se debilitan
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¿Por qué se considera a Lam Research la mejor opción para la exposición a la memoria?

Lam proporciona el apalancamiento más directo a las categorías de WFE de más rápido crecimiento (DRAM y NAND) a través de sus sistemas esenciales de grabado y deposición.

ASML
Bullish 🤖 65%
📆 Medio plazo 🌍 US · Explícito

ASML mantiene un foso tecnológico inigualable a través de su capacidad exclusiva para producir sistemas de litografía de ultravioleta extremo (EUV). Si bien sus ingresos están menos directamente relacionados con la memoria que los de Lam, se beneficia tanto del gasto en lógica como en memoria, ya que la producción avanzada de DRAM utiliza cada vez más la tecnología EUV junto con la fabricación de lógica de vanguardia.

Catalizadores
  • Guía de ventas netas aumentada para 2026 entre €43 mil millones y €45 mil millones
  • Continua dependencia de la litografía EUV tanto para la producción avanzada de lógica como de memoria
Factores de riesgo
  • Una exposición de ingresos más amplia la hace menos sensible al aumento inmediato del gasto de capital impulsado por la memoria en comparación con sus pares
  • Potencial presión competitiva del desarrollo de DUV inmersivo chino, aunque actualmente limitado
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¿Se beneficia ASML del ciclo de gasto en memoria?

Sí, los fabricantes de memoria utilizan la litografía EUV de ASML de manera selectiva para la producción avanzada de DRAM, proporcionando un motor de crecimiento secundario junto con la lógica.

🎯 Conclusiones principales

  • Se proyecta que el gasto en equipos DRAM y NAND crezca un 29% y un 28% respectivamente, superando el crecimiento del sector lógico en general.
  • Lam Research ofrece la mayor exposición directa a las necesidades específicas de grabado y deposición de memoria.
  • KLA se beneficia del aumento de la intensidad del control de procesos, mientras que ASML mantiene un foso estructural a través de su posición exclusiva en litografía EUV.

📝 Resumen ejecutivo

Se proyecta que el gasto global en equipos de fabricación de obleas (WFE) aumente un 16.9% hasta un récord de $135.2 mil millones para 2026, impulsado por la creciente demanda de memoria avanzada DRAM y NAND. Si bien el gasto en lógica sigue siendo significativo, las inversiones de capital centradas en la memoria están creciendo a un ritmo más rápido para apoyar la producción de memoria de alto ancho de banda (HBM) impulsada por la IA.

❓ FAQ

¿Por qué el gasto en equipos de memoria está creciendo más rápido que el gasto en lógica?

El auge de la IA y la memoria de alto ancho de banda (HBM) requiere que los fabricantes inviertan fuertemente en nueva infraestructura de salas limpias, empaquetado avanzado y procesos complejos de deposición y grabado para apoyar tamaños de chip más grandes y memoria apilada.