Die Ausgaben für Halbleiterausrüstung werden 2026 voraussichtlich 135,2 Milliarden Dollar erreichen, wobei Lam Research, KLA und ASML als Hauptnutznießer des Wandels zu fortschrittlichem Speicher und Prozesskontrollinfrastruktur positioniert sind.
Lam Research ist der direkteste Nutznießer des aktuellen Zyklus der Speicherausrüstung aufgrund seiner umfangreichen Nutzung von Ätz- und Abscheidungssystemen in der DRAM- und NAND-Fertigung. Da die Speicherstrukturen komplexer werden, wie bei hochaspektverhältnis NAND, steigt die Nachfrage nach Lams spezialisierten Geräten, die direkt das prognostizierte Wachstum von 29% und 28% bei den Ausgaben für DRAM und NAND erfassen.
Lam bietet die direkteste Hebelwirkung auf die am schnellsten wachsenden WFE-Kategorien (DRAM und NAND) durch seine wesentlichen Ätz- und Abscheidungssysteme.
ASML hat einen unvergleichlichen technologischen Wettbewerbsvorteil durch seine exklusive Fähigkeit, extreme ultraviolette (EUV) Lithographiesysteme zu produzieren. Während sein Umsatz weniger direkt mit Speicher als der von Lam verbunden ist, profitiert es sowohl von Logik- als auch von Speicherausgaben, da die fortschrittliche DRAM-Produktion zunehmend EUV-Technologie neben der führenden Logikfertigung nutzt.
Ja, Speicherhersteller nutzen ASMLs EUV-Lithografie selektiv für die fortschrittliche DRAM-Produktion, was einen sekundären Wachstumstreiber neben der Logik darstellt.
Die globalen Ausgaben für Wafer-Fertigungsausrüstung (WFE) werden voraussichtlich um 16,9% auf einen Rekord von 135,2 Milliarden Dollar bis 2026 steigen, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach fortschrittlichem DRAM und NAND-Speicher. Während die Ausgaben für Logik weiterhin erheblich sind, wachsen die investitionen in speicherorientierte Kapitalanlagen schneller, um die Produktion von KI-gesteuertem Hochbandbreiten-Speicher (HBM) zu unterstützen.
Der Anstieg von KI und Hochbandbreitenspeicher (HBM) erfordert von den Herstellern erhebliche Investitionen in neue Reinraum-Infrastrukturen, fortschrittliche Verpackungen sowie komplexe Abscheidungs- und Ätzprozesse, um größere Die-Größen und gestapelten Speicher zu unterstützen.